我定期都有发文章在上面qms管理系统电子旋转共振（Electron Cyclotron Resonance，ECR）欺骗电磁波（寻常是微波）正在磁场中爆发的电子旋转共振来爆发等离子体，然后欺骗这个等离子体来对半导体资料举办刻蚀。
微波是一种电磁波，其波长正在1毫米到1米之间，对应的频率局限约为300兆赫（MHz）至300千兆赫（GHz）。而半导体造造中常用的微波为2.45 GHz。
这个频率的微波最为人所知的行使不妨即是微波炉了。微波炉中的微波产生器爆发2.45 GHz的微波，这些微波或许被待加热物品的招揽，使它们振动并爆发热，从而加热和烹调食品。
2.45 GHz的频率也正在少许无线通讯身手中被操纵，比方Wi-Fi和蓝牙。这个频率局限因为正在大众半邦度/区域都不须要许可证就能操纵，因而正在消费电子产物中特地通行。
2.45 GHz的微波也被用于少许特定的行使，比方正在电子旋转共振（ECR）体例中被用于激勉电子和爆发等离子体，用于半导体造程中的刻蚀经过。
操纵2.45 GHz的微波正在ECR体例中爆发等离子体的重要甜头是，这个频率的微波能量能够被等离子体中的电子有用地招揽，况且微波的能量相对较低，不会对半导体资料酿成大的毁伤。
最先，2.45 GHz的微波被注入到一个ECR-RIE机台腔体中，这个腔体中充满了须要刻蚀的气体（如氟或氯）。正在腔体中，微波和磁场互相效率，爆发电子旋转共振，个中电子正在微波的影响下正在磁场中举办螺旋上升运动。这个经过会使电子得到能量，酿成高能电子。高能电子与腔体中的气体分子相撞，负气体分子激勉，爆发等离子体。这个等离子体包罗了高能电子和离子，自正在基等活性物质。等离子体被启发到半导体资料的轮廓，个中的活性物种与半导体资料产生响应，举办刻蚀。全部经过能够通过转移微波的功率、气体的压力和类型、以及磁场的强度来操纵。
摆设繁杂：ECR 身手的重要漏洞是商用微波电源的节造，以及爆发匀称磁化等离子体所需的磁铁的物理节造，比方，要爆发 875 高斯的磁场，磁铁又大又重。体积伟大的 ECR 源难以蚁合用于众腔室工艺，况且它们难以照料大于 200 毫米的晶圆。
刻蚀速度相对较低：ECR刻蚀中天生的等离子体的离子能量相对较低。这有利于淘汰对资料的毁伤，但也意味着离子轰击的恶果不妨较低，因现正在蚀速度也较低。
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